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572130Imagen GL41YHE3/97Electro-Films (EFI) / Vishay

GL41YHE3/97

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GL41YHE3/97
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-213AB
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Otros nombres
    GL41YHE3/97-ND
    GL41YHE3/97GITR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1600V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 1600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    GL41Y
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL4800

GL4800

Descripción: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
GL453E00000F

GL453E00000F

Descripción: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
GL4800E0000F

GL4800E0000F

Descripción: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
GL41Y/1

GL41Y/1

Descripción: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
GL480QE0000F

GL480QE0000F

Descripción: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
GL41THE3/96

GL41THE3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL480E00000F

GL480E00000F

Descripción: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
GL41M/54

GL41M/54

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL41THE3/97

GL41THE3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL480

GL480

Descripción: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GL4910JE000F

GL4910JE000F

Descripción: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles

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