IRF840STRRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF840STRRPBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF840STRRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

850 mOhm @ 4.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IRF840STRRPBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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