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2990077Imagen IRFD024PBFElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFD024PBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRFD024PBF
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRFD024PBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    100 mOhm @ 1.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.3W (Ta)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Otros nombres
    *IRFD024PBF
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    640pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

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