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Imagen IRFD420PBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFD420PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFD420PBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFD420PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 220mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres

*IRFD420PBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 370mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

370mA (Ta)

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