IRFR9110

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Especificaciones

Número de pieza

IRFR9110
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRFR9110.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 25W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

*IRFR9110
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.7nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Tc)

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