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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > S2DHE3_A/H
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5335100Imagen S2DHE3_A/HElectro-Films (EFI) / Vishay

S2DHE3_A/H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S2DHE3_A/H
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S2DHE3_A/H.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.15V @ 1.5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AA (SMB)
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2µs
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AA, SMB
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    35 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 200V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1.5A
  • Capacitancia Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

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Fabricantes: ebm-papst Inc.
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB

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Descripción: FAN AXIAL

Fabricantes: ebm-papst Inc.
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: CAMERA INTERFACE CHIP WITH 4 CHA

Fabricantes: Epson
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S2DA-13

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
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RFQ
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