S8CJ-M3/I

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

3500+

$0.251

7000+

$0.234

10500+

$0.231

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

S8CJ-M3/I
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

S8CJ-M3/I.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

985mV @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

DO-214AB (SMC)
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4µs
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AB, SMC
Otros nombres

S8CJ-M3/I-ND
S8CJ-M3/IGITR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

53 Weeks
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

79pF @ 4V, 1MHz

Los siguientes son productos relacionados con "S8CJ-M3/I".

S8CM-M3/I

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

JANTX1N5819-1

Descripción: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

RFQ

S8CGHM3/I

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

MBR60200PTE3/TU

Descripción: DIODE SCHOTTKY 60A 200V TO-247AD

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

RFQ

VS-STPS1045BTRR-M3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1C5819.T

Descripción: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Existencias disponibles

RFQ

MAU2D3000B

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA USSMINI

Fabricantes: Panasonic

Existencias disponibles

RFQ

S8CK-M3/I

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

120NQ040

Descripción: DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

FR16D02

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 16A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

V10P6HM3_A/H

Descripción: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

12FR100B BN BK Y

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Fabricantes: Vishay / Semiconductor - Opto Division

Existencias disponibles

RFQ

RJU3051SDPE-00#J3

Descripción: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America

Existencias disponibles

RFQ

RSFML MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 500MA SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

S8CMHM3/I

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

BYD33JGPHE3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

S8CJHM3/I

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

S8CG-M3/I

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

RS1JLS RVG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

S8CKHM3/I

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

S8CJ-M3/I

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

S8CM-M3/I

JANTX1N5819-1

S8CGHM3/I

MBR60200PTE3/TU

VS-STPS1045BTRR-M3

1C5819.T

MAU2D3000B

S8CK-M3/I

120NQ040

FR16D02

V10P6HM3_A/H

12FR100B BN BK Y

RJU3051SDPE-00#J3

RSFML MTG

S8CMHM3/I

BYD33JGPHE3/73

S8CJHM3/I

S8CG-M3/I

RS1JLS RVG

S8CKHM3/I

Seleccione el idioma

Idioma actual