SE10FJ-M3/I

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Especificaciones

Número de pieza

SE10FJ-M3/I
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

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Descripción

DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SE10FJ-M3/I.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.05V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

DO-219AB (SMF)
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

780ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-219AB
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

47 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-219AB (SMF)
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

7.5pF @ 4V, 1MHz

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