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SI1402DH-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1402DH-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1402DH-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-6 (SOT-363)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

77 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

950mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 2.7A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Ta)

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