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SI1414DH-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI1414DH-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI1414DH-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-363
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    46 mOhm @ 4A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Otros nombres
    SI1414DH-T1-GE3-ND
    SI1414DH-T1-GE3TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

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