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SI1922EDH-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI1922EDH-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI1922EDH-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    198 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Potencia - Max
    1.25W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Otros nombres
    SI1922EDH-T1-GE3CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2.5nC @ 8V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.3A
  • Número de pieza base
    SI1922

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

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Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

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