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1826939Imagen SI3440DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3440DV-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI3440DV-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI3440DV-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    375 mOhm @ 1.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.14W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Otros nombres
    SI3440DV-T1-GE3TR
    SI3440DVT1GE3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    33 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    150V
  • Descripción detallada
    N-Channel 150V 1.2A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.2A (Ta)

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

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