SI4166DY-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4166DY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4166DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.9 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 6.5W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4166DY-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 30.5A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30.5A (Tc)

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