Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > SI4435DDY-T1-E3
RFQs/Orden (0)
español
español
4610166

SI4435DDY-T1-E3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1+
$0.90
10+
$0.788
100+
$0.608
500+
$0.45
1000+
$0.36
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    SI4435DDY-T1-E3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI4435DDY-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    24 mOhm @ 9.1A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    SI4435DDY-T1-E3DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    27 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11.4A (Tc)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "SI4435DDY-T1-E3".
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Descripción: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Descripción: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Descripción: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Descripción: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Descripción: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Descripción: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Descripción: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Descripción: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.