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SI4451DY-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI4451DY-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    800mV @ 850µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8.25 mOhm @ 14A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.5W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    120nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    12V
  • Descripción detallada
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4456DY-T1-GE3

SI4456DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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