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SI4470EY-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI4470EY-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.85W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    SI4470EY-T1-GE3TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 9A (Ta) 1.85W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4477DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Descripción: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Descripción: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Descripción: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Descripción: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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