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SI4814BDY-T1-E3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI4814BDY-T1-E3
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    LITTLE FOOT®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Potencia - Max
    3.3W, 3.5W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10A, 10.5A
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4822-A10-CU

SI4822-A10-CU

Descripción: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4820-A10-CU

SI4820-A10-CU

Descripción: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4820-A10-CUR

SI4820-A10-CUR

Descripción: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI4804BDY-T1-GE3

SI4804BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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