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6700331Imagen SI5402DC-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5402DC-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI5402DC-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI5402DC-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    1206-8 ChipFET™
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.9A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.3W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4.9A (Ta)

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SI5403DC-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI5411EDU-T1-GE3

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Descripción: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI5397M-A-GM

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Descripción: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI5414DC-T1-GE3

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5397K-A-GM

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Descripción: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SI5406DC-T1-E3

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Descripción: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI5401DC-T1-E3

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5404BDC-T1-E3

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
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Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
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SI5397J-A-GM

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Descripción: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SI5404BDC-T1-GE3

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI5397L-A-GM

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Descripción: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SI5402BDC-T1-E3

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI5410DU-T1-GE3

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
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SI5406DC-T1-GE3

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Descripción: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

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Descripción: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

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