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Imagen SI5902BDC-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5902BDC-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI5902BDC-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI5902BDC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V
Potencia - Max

3.12W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

SI5902BDC-T1-E3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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