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Imagen SI5913DC-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5913DC-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI5913DC-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI5913DC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

1206-8 ChipFET™
Serie

LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs

84 mOhm @ 3.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

SI5913DC-T1-GE3TR
SI5913DCT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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