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Imagen SI7403BDN-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7403BDN-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7403BDN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7403BDN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

74 mOhm @ 5.1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 1212-8
Otros nombres

SI7403BDN-T1-GE3TR
SI7403BDNT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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