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Imagen SI7540DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7540DP-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7540DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7540DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Potencia - Max

1.4W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres

SI7540DP-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A, 5.7A
Número de pieza base

SI7540

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