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SI8451DB-T2-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8451DB-T2-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8451DB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.77W (Ta), 13W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-MICRO FOOT™
Otros nombres

SI8451DB-T2-E1TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 10.8A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.8A (Tc)

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