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Imagen SI8461DB-T2-E1

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8461DB-T2-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8461DB-T2-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8461DB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-Microfoot
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

780mW (Ta), 1.8W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

4-XFBGA, CSPBGA
Otros nombres

SI8461DB-T2-E1DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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