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2869597Imagen SI8497DB-T2-E1Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8497DB-T2-E1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI8497DB-T2-E1
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI8497DB-T2-E1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-microfoot
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-UFBGA
  • Otros nombres
    SI8497DB-T2-E1TR
    SI8497DBT2E1
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1320pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 13A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    13A (Tc)

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