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SI9912DY-E3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI9912DY-E3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI9912DY-E3.pdf
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    30ns, 20ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • estilo de la llave
    2
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tensión lógica - VIL, VIH
    -
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Non-Inverting
  • High Voltage - Máx (Bootstrap)
    30V
  • Tipo de Puerta
    N-Channel MOSFET
  • Configuración impulsada
    Half-Bridge
  • Descripción detallada
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  • Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero)
    1A, 1A
  • Corriente de carga
    Synchronous
  • Número de pieza base
    SI9912

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