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2835342Imagen SIHB12N50E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB12N50E-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIHB12N50E-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SIHB12N50E-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    380 mOhm @ 6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    114W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    886pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    500V
  • Descripción detallada
    N-Channel 500V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

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