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Imagen SIHW33N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHW33N60E-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHW33N60E-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIHW33N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247AD
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

99 mOhm @ 16.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

278W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3 Full Pack
Otros nombres

SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3508pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

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