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2427132Imagen SIR412DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR412DP-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIR412DP-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SIR412DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12 mOhm @ 10A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® SO-8
  • Otros nombres
    SIR412DP-T1-GE3TR
    SIR412DPT1GE3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    25V
  • Descripción detallada
    N-Channel 25V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

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