Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > SIR862DP-T1-GE3
RFQs/Orden (0)
español
español
5809043Imagen SIR862DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR862DP-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
3000+
$0.66
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    SIR862DP-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SIR862DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    5.2W (Ta), 69W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® SO-8
  • Otros nombres
    SIR862DP-T1-GE3TR
    SIR862DPT1GE3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3800pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    25V
  • Descripción detallada
    N-Channel 25V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

23/11/2024

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

22/11/2024

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "SIR862DP-T1-GE3".
SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Descripción: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR846ADP-T1-RE3

SIR846ADP-T1-RE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR844DP-T1-GE3

SIR844DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR864DP-T1-GE3

SIR864DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.