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6440538Imagen SIS447DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS447DN-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIS447DN-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    SIS447DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    7.1 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    52W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® 1212-8
  • Otros nombres
    SIS447DN-T1-GE3-ND
    SIS447DN-T1-GE3TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5590pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    181nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 18A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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