SQ2301ES-T1_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQ2301ES-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQ2301ES-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-236 (SOT-23)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

3W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SQ2301ES-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Tc)

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