SQ4182EY-T1_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQ4182EY-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SQ4182EY-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.8 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)

7.1W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 32A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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