SQ7002K-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQ7002K-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQ7002K-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.3 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

24pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 320mA (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

320mA (Tc)

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