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644076Imagen SQD50P04-09L_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD50P04-09L_GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SQD50P04-09L_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 40V 50A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SQD50P04-09L_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    9.4 mOhm @ 17A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    136W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    SQD50P04-09L_GE3CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6675pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    P-Channel 40V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

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Descripción: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

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