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5059964Imagen SQJ407EP-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ407EP-T1_GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SQJ407EP-T1_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    SQJ407EP-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.4 mOhm @ 10A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    68W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® SO-8
  • Otros nombres
    SQJ407EP-T1_GE3CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    10700pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

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