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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > SQR40N10-25_GE3

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Imagen SQR40N10-25_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQR40N10-25_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQR40N10-25_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQR40N10-25_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D2Pak)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

136W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3380pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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