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2045211Imagen SUP45P03-09-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SUP45P03-09-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SUP45P03-09-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    SUP45P03-09-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8.7 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    73.5W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 45A (Tc) 73.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    45A (Tc)

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Descripción: MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

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