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7043253Imagen US1B-M3/5ATElectro-Films (EFI) / Vishay

US1B-M3/5AT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    US1B-M3/5AT
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
US1B/1

US1B/1

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1BHE3/61T

US1BHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1B-E3/5AT

US1B-E3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1B M2G

US1B M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1B-TP

US1B-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
US1BHE3_A/H

US1BHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1B-13-F

US1B-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1B R3G

US1B R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1B-E3/61T

US1B-E3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1AHM2G

US1AHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1B-M3/61T

US1B-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1B-13

US1B-13

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1BFA

US1BFA

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
US1AHR3G

US1AHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1AHE3_A/I

US1AHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1BHR3G

US1BHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1AHE3_A/H

US1AHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1BHE3_A/I

US1BHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1BHM2G

US1BHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles

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