US1GHE3_A/I

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Especificaciones

Número de pieza

US1GHE3_A/I
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.US1GHE3_A/I.pdf
2.US1GHE3_A/I.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

400V
Paquete del dispositivo

DO-214AC (SMA)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DO-214AC, SMA
Otros nombres

US1GHE3_A/IGICT
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 400V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz
Número de pieza base

US1G

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