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3576550Imagen VS-10ETF12STRR-M3Electro-Films (EFI) / Vishay

VS-10ETF12STRR-M3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    VS-10ETF12STRR-M3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    VS-10ETF12STRR-M3.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.33V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    310ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -40°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1200V 10A Surface Mount D2PAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE RECT 1200V 10A D2PAK

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220-2

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