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Imagen SI8230BD-D-IS3R

Energy Micro (Silicon Labs)

SI8230BD-D-IS3R

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Especificaciones

Número de pieza

SI8230BD-D-IS3R
Fabricante / Marca

Energy Micro (Silicon Labs)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8230BD-D-IS3R.pdf
Suministro de voltaje

6.5 V ~ 24 V
Voltaje - Aislamiento

5000Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

-
Tecnología

Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo

14-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Tiempo de subida / bajada (típico)

12ns, 12ns
Ancho de pulso Distorsión (máx.)

5.6ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)

60ns, 60ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C
número de canales

2
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 14-SOIC
Corriente - Salida Pico

4A
Actual - salida alta, bajo

2A, 4A
Inmunidad transitoria en modo común (Min)

45kV/µs
aprobaciones

CQC, CSA, UR, VDE

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