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Casa > Productos > Aisladores > Aisladores-conductores de la puerta > SI8235AB-D-IS1

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Imagen SI8235AB-D-IS1

Energy Micro (Silicon Labs)

SI8235AB-D-IS1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8235AB-D-IS1
Fabricante / Marca

Energy Micro (Silicon Labs)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8235AB-D-IS1.pdf
Suministro de voltaje

6.5 V ~ 24 V
Voltaje - Aislamiento

2500Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

-
Tecnología

Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo

16-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Tiempo de subida / bajada (típico)

12ns, 12ns (Max)
Ancho de pulso Distorsión (máx.)

5.6ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)

60ns, 60ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C
número de canales

2
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2A (4 Weeks)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC
Corriente - Salida Pico

4A
Actual - salida alta, bajo

2A, 4A
Inmunidad transitoria en modo común (Min)

20kV/µs
aprobaciones

CQC, CSA, UR, VDE

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