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SI8261AAC-C-IS

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Especificaciones

Número de pieza

SI8261AAC-C-IS
Fabricante / Marca

Energy Micro (Silicon Labs)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8261AAC-C-IS.pdf
Suministro de voltaje

6.5 V ~ 30 V
Voltaje - Aislamiento

3750Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

2.8V (Max)
Tecnología

Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Tiempo de subida / bajada (típico)

5.5ns, 8.5ns
Ancho de pulso Distorsión (máx.)

28ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)

60ns, 50ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
Corriente - Salida Pico

600mA
Actual - salida alta, bajo

400mA, 600mA
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

30mA
Inmunidad transitoria en modo común (Min)

35kV/µs
aprobaciones

CQC, CSA, UR, VDE

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