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Imagen SI8261ACD-C-IMR

Energy Micro (Silicon Labs)

SI8261ACD-C-IMR

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Especificaciones

Número de pieza

SI8261ACD-C-IMR
Fabricante / Marca

Energy Micro (Silicon Labs)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8261ACD-C-IMR.pdf
Suministro de voltaje

13.5 V ~ 30 V
Voltaje - Aislamiento

5000Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

2.8V (Max)
Tecnología

Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo

8-LGA (10x12.5)
Serie

Automotive, AEC-Q100
Tiempo de subida / bajada (típico)

5.5ns, 8.5ns
Ancho de pulso Distorsión (máx.)

28ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)

60ns, 50ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-VELGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

600mA Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5)
Corriente - Salida Pico

600mA
Actual - salida alta, bajo

400mA, 600mA
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

30mA
Inmunidad transitoria en modo común (Min)

35kV/µs
aprobaciones

CQC, CSA, UR, VDE

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