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2947283Imagen SI8261BAD-C-ISREnergy Micro (Silicon Labs)

SI8261BAD-C-ISR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI8261BAD-C-ISR
  • Fabricante / Marca
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI8261BAD-C-ISR.pdf
  • Suministro de voltaje
    6.5 V ~ 30 V
  • Voltaje - Aislamiento
    5000Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    2.8V (Max)
  • Tecnología
    Capacitive Coupling
  • Paquete del dispositivo
    6-SDIP
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    5.5ns, 8.5ns
  • Ancho de pulso Distorsión (máx.)
    28ns
  • Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)
    60ns, 50ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Otros nombres
    336-5207-2
    SI8261BAD-C-ISR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
  • Corriente - Salida Pico
    4A
  • Actual - salida alta, bajo
    500mA, 1.2A
  • Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)
    30mA
  • Inmunidad transitoria en modo común (Min)
    35kV/µs
  • aprobaciones
    CQC, CSA, UR, VDE

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