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Imagen SI8282BC-ISR

Energy Micro (Silicon Labs)

SI8282BC-ISR

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Especificaciones

Número de pieza

SI8282BC-ISR
Fabricante / Marca

Energy Micro (Silicon Labs)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SI8282BC-ISR.pdf
Suministro de voltaje

2.8 V ~ 5.5 V
Voltaje - Aislamiento

5000Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

-
Tecnología

Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo

20-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Tiempo de subida / bajada (típico)

5.5ns, 8.5ns
Ancho de pulso Distorsión (máx.)

5ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)

50ns, 50ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Otros nombres

336-5066-2
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Descripción detallada

4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 20-SOIC
Corriente - Salida Pico

4A
Actual - salida alta, bajo

2.5A, 3A
Inmunidad transitoria en modo común (Min)

35kV/µs
aprobaciones

CQC, CSA, UL, VDE

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