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307811Imagen EGP30JFairchild/ON Semiconductor

EGP30J

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EGP30J
  • Fabricante / Marca
    Fairchild (onsemi)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    EGP30J.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    3A
  • Tensión - Desglose
    DO-201AD
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    75pF @ 4V, 1MHz
  • Polarización
    DO-201AD, Axial
  • Otros nombres
    EGP30JCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    75ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    EGP30J
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • configuración de diodo
    5µA @ 600V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.7V @ 3A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    600V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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