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Imagen FDS6570A

Fairchild/ON Semiconductor

FDS6570A

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Especificaciones

Número de pieza

FDS6570A
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS6570A.pdf
Voltaje - Prueba

4700pF @ 10V
Tensión - Desglose

8-SO
VGS (th) (Max) @Id

7.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (Max)

2.5V, 4.5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

15A (Ta)
Polarización

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS6570ACT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Número de pieza del fabricante

FDS6570A
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

66nC @ 5V
Tipo de IGBT

±8V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 20V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20V
relación de capacidades

2.5W (Ta)

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