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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > FJBE2150DTU
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6614005Imagen FJBE2150DTUFairchild/ON Semiconductor

FJBE2150DTU

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$1.391
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$1.118
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1000+
$0.761
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Especificaciones
  • Número de pieza
    FJBE2150DTU
  • Fabricante / Marca
    Fairchild (onsemi)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FJBE2150DTU.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    2A
  • Tensión - Desglose
    D²PAK (TO-263)
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    800V
  • Serie
    ESBC™
  • Estado RoHS
    Tube
  • Resistencia - Base (R1) (Ohms)
    5MHz
  • Potencia - Max
    110W
  • Polarización
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    FJBE2150DTU
  • Frecuencia - Transición
    20 @ 400mA, 3V
  • Descripción ampliada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 110W Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Descripción
    TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100µA
  • Corriente - corte del colector (Max)
    250mV @ 330mA, 1A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    NPN

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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